15-03-2019 14:55

В ближайшее время на рынке появится первое устройство на базе графена

В Британии был создан полупрозрачный слой углерода толщиной в один атом еще в 2004 году.

Спустя 15 лет, ученые констатируют, что мир под влиянием графена так и не изменился.

Проблему они видят не только в том, что графен производить очень дорого и сложно, но еще и в том, что практически весь графен, который имеется сегодня на коммерческом рынке, является подделкой.

Вместе с тем, на этой неделе на сайте Кембриджского университета появилась информация о том, компания Paragraf приступила к производству графена в коммерческих масштабах - в виде 8-дюймовых (20 см) графеновых пластин, используя метод производства, который был разработан тремя учеными еще в 2015 году.

При этом поясняется, что компания смогла наладить производство высококлассных графеновых пластин, обойдя при этом не только другие исследовательские группы со всего мира, но и таких гигантов в сфере производства полупроводниковой продукции, как IBM, Intel и Samsung, которые, тоже работают в этом направлении.

Причем Samsung Electronics разработала графеновый аккумулятор, который заряжается за 12 минут, еще в 2017 году.

Помимо этого, в пресс-релизе указывается, что первое электронное устройство на базе графена компания Paragraf собирается представить уже в «ближайшие два месяца».

Заметим, что этот материал в 200 раз прочнее стали и обладает в 10 раз большей теплопроводностью по сравнению с медью – проводником, который массово используется при производстве самой разной электроники. Кроме того, по сравнению с тем же кремнием (основной материал для производства различных микрочипов) графен обладает в 250 раз большей электропроводностью.

Если заменить ныне используемые микрочипы на базе кремния микрочипами, построенными на базе графена, то производительность и скорость электроники на их базе увеличится в десятки раз. А построенные на базе графена различные химические и электрические датчики будут в 30 раз точнее тех, что создаются на базе более традиционных материалов.